檢索結果：共26筆資料 檢索策略： "Ying-Sheng Huang".ecommittee (精準) and cadvisor.raw="趙良君"
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此研究先以反應式離子束濺鍍法於SiO2基板上依不同的氧氬比沉積銅氧化物薄膜，由Ar:O2=3.5:2.5的比例沉積300 oC與400 oC的氧化銅和Ar:O2=4.2:0.7的比例沉積300 oC…
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此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜，採用陽極層離子源，以鋅為靶材，同時通入氬氣、氧氣及氮氣，探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm，…
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以熱氧化金屬鋅膜法製備氧化鋅奈米線紫外光檢測器，鋅薄膜之溝槽藉由聚焦離子束(focus ion beam, FIB)系統切割，隨後藉由熱氧化法於溝槽間成長氧化鋅奈米線。氧化鋅奈米線的直徑約為70 n…
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本實驗使用反應式離子束共濺鍍Zn及Mg金屬靶沉積MgxZn1-xO薄膜，利用不同離子束電流調整x = 0 ~ 0.46，薄膜沉積於Si (100)、玻璃及石英基板。XRD量測結果中，MgxZn1-x…
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本文藉由改變離子束轟擊角度以及改變離子束能量，使Si (100) 基板表面產生波紋形貌。使用的離子種類為氬離子，能量為6 ~ 10 keV，電流密度為2 A/cm2，總離子量為 ~3.61016…
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本實驗使用離子束濺鍍法在玻璃基板上沉積氧化銦錫薄膜，利用改變基板溫 度及退火溫度來觀察薄膜特性的變化，分別使用室溫、100 及200℃來沉積薄膜。 在室溫下沉積未退火的ITO 薄膜呈現非晶結構，當薄…
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本實驗以熱氧化法成長出摻鈷的氧化鋅奈米線結構，以磁控濺鍍法先沉積純鋅膜與摻鈷的鋅薄膜兩種，實驗結果發現純鋅膜經熱氧化後會形成奈米針結構，而有摻雜鈷的鋅膜在熱氧化後會轉變為奈米線結構，其結構上受到摻雜…
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本文使用反應式離子束濺鍍沉積法，在晶向(100)的矽基板上成長氧化鋅薄膜，觀察不同成長溫度、氧通量和基板偏壓對薄膜造成的影響。300℃時，有弱的近能隙發光和強的綠光缺陷發光；500℃時，有強的近能隙…
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本文藉由改變離子束轟擊角度，使Si (100) 基板表面產生不同波長之波紋形貌；使用反應式離子束濺鍍法成長氧化鋅奈米粒子，經由改變成長時間、基板溫度，討論最佳奈米粒子成長參數；最後將奈米粒子分別沉積…
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本實驗為利用離子束能量8、12以及16 keV 沉積不同表面粗糙度的鋅薄膜，再以330、380、400以及420 ℃熱氧化成長氧化鋅奈米線。實驗結果發現只有在離子束能量為12 keV 所沉積的鋅薄膜…